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SK海力士或将采用1c nm工艺,HBM4E内存容量有望进一步跃升

作者: 时间:2024-05-24阅读数:人阅读

5月14日消息,近日,SK海力士在2024年度IEEE IMW国际存储研讨会上宣布了关于HBM4E内存的重要进展。据SK海力士技术人员Kim Kwi Wook透露,该公司计划采用1c nm工艺的32Gb DRAM芯片来构建新一代的HBM4E内存,并且预期该内存的开发周期将缩短至一年。

这一消息无疑为科技界带来了新的震动。目前,全球三大内存制造商尚未开始大规模生产1c nm(第六代10+nm级)DRAM内存颗粒。然而,SK海力士已经走在了前面,计划在今年内实现1c nm DRAM的量产,与三星电子一同领跑新一代内存技术的竞赛。美光科技则稍显落后,预计要到明年才能实现量产。

新一代1c nm DRAM颗粒有望在存储密度和能效方面带来显著的改进。目前,SK海力士在HBM3E内存中主要使用的是1b nm工艺的DRAM颗粒。虽然该公司尚未确认HBM4是否会采用更新的DRAM裸片制程,但韩媒The Elec近日的报道指出,SK海力士已经将HBM4的量产时间提前到了2025年下半年,因此继续使用1b nm颗粒可能更符合其研发进度。

据了解,目前主流的HBM3E产品通常采用24Gb DRAM颗粒,这使得在8层堆叠的情况下,HBM3E内存的单堆栈容量可以达到24GB。若采用12层堆叠设计,其堆栈容量更可提升至36GB。随着HBM4E内存升级到32Gb DRAM裸片,12层堆叠的版本有望实现48GB的单颗容量,而16层版本甚至可能达到64GB的超大规模,这将为人工智能等应用提供更多可能性。

Kim Kwi Wook预测,相比HBM4,HBM4E内存将在带宽上提升40%、密度提升30%,同时能效也将提高30%。然而,在谈到键合技术时,他表示混合键合仍然面临着良率问题,因此SK海力士在下一代HBM4产品中采用混合键合技术的可能性并不大。

随着技术的不断进步和市场的日益竞争,各大内存制造商都在积极寻求突破和创新。SK海力士的这一新动向无疑为整个行业带来了新的挑战和机遇。我们期待这一技术在未来能够为更多领域带来革命性的变革。

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